2月24日報道，三星電子已與長江存儲簽署了3D NAND混合鍵合專利許可協(xié)議，將從V10（第10代）開始采用該技術(shù)。具體情況如下：
合作背景
- 長江存儲技術(shù)領(lǐng)先：長江存儲在2018年就推出了名為“Xtaking”的混合鍵合技術(shù)，2019年成功量產(chǎn)了基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存，是第一家將混合鍵合應(yīng)用于3D NAND的公司，目前其自研的Xtacking“混合鍵合”技術(shù)已經(jīng)進展到了4.x版本。
- 三星技術(shù)發(fā)展需求：三星計劃于今年下半年量產(chǎn)下一代V10 NAND，預(yù)計產(chǎn)品層數(shù)約為420至430層，隨著NAND技術(shù)的不斷進步，存儲單元會逐漸垂直堆疊，采用長江存儲的混合鍵合技術(shù)可以解決三星下一代NAND開發(fā)中的“核心難題”。
技術(shù)優(yōu)勢
- 縮短電路路徑：混合鍵合技術(shù)省去了傳統(tǒng)芯片連接中所需的“凸點”，使得電路路徑變得更短，從而提高性能和散熱特性。
- 提高生產(chǎn)效率：特別是將整個硅片直接結(jié)合的W2W技術(shù)，有助于提高生產(chǎn)效率。
合作意義
- 降低專利風(fēng)險：對于三星電子來說，與長江存儲簽署有關(guān)混合鍵合專利的許可協(xié)議，可降低未來可能遇到的專利侵權(quán)風(fēng)險。
- 行業(yè)影響：這是中國存儲技術(shù)的重大突破，從曾經(jīng)的追趕者到技術(shù)輸出方，體現(xiàn)了中國科技的進步，未來可能引發(fā)存儲芯片產(chǎn)業(yè)的變革。