韓媒ZDNet Korea報道，三星電子從中國NAND制造商YMTC那里，租借了從V10（10代）開始采用的先進封裝技術“混合鍵合”的專利。
這解決了三星電子在下一代NAND開發中的“核心難題”，但未來專利引入后，如何確保產率穩定性等恢復競爭力將成為新的挑戰。
YMTC是首家將混合鍵合技術應用于3D NAND的企業，因此在相關技術上建立了堅實的專利體系。
三星電子選擇通過友好協商而非強行規避專利來消除未來風險的策略。
三星電子最近與YMTC簽訂了3D NAND用混合鍵合專利權的許可協議。
V10是三星電子計劃在今年下半年開始量產的下一代NAND。
隨著NAND代際的增加，“單元（Cell；存儲數據的單位）”被垂直堆疊得越來越高，V10預計將達到420至430層。
三星電子的V10 NAND引入了多種新技術，其中W2W（晶圓對晶圓）混合鍵合尤為重要。W2W混合鍵合是一種直接將晶圓與晶圓粘合的封裝技術。
混合鍵合省略了傳統芯片連接所需的凸點（Bump），縮短了電氣路徑，從而提高了性能和散熱特性。
特別是W2W通過將整個晶圓而不是芯片粘合在一起，有利于提高生產效率。
傳統上，三星電子采用在單個晶圓上放置驅動單元的電路“外圍（Peripheral）”，然后在其上堆疊單元的方式，稱為COP（單元在外圍）。
然而，當NAND達到400層以上時，施加在底部外圍上的壓力會增加，導致NAND的可靠性下降。
因此，三星電子決定在V10 NAND中采用將單元和外圍分別在不同晶圓上制造，然后合成的混合鍵合技術。